【CNMO科技消息】8月3日消息，日本存储企业铠侠正加速布局人工智能用下一代NAND市场，计划在今年陆续量产面向AI数据中心和终端AI设备的最新规格NAND解决方案。这一动向被业界视为对三星电子、SK海力士等韩国存储企业追赶态势的加速回应。

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　　据市场研究机构TrendForce数据，铠侠今年第一季度全球NAND市场份额为13.9%，位列三星电子（31.6%）和SK海力士（17.6%）之后，排名第三。虽然营收规模不及韩国竞争对手，但铠侠的技术开发速度获得业界高度评价，尤其在AI产业需求激增的高性能、高效率NAND领域，今年已取得显著成果。

　　上个月初，铠侠在日本岩手县北上市工厂（K2）启动了第十代（BiCS 10）3D NAND的量产。NAND存储通过将存储单元垂直堆叠的方式不断演进，铠侠的第十代NAND实现了332层堆叠。三星电子和SK海力士目前已成功量产第九代NAND，由于各企业的代际层数计算标准不同，无法直接横向比较，但三家企业均已进入300层以上高堆叠NAND的量产阶段，这一点具有重要意义。

　　基于第十代NAND技术，铠侠已商用化支持PCIe 6.0接口的数据中心用企业级固态硬盘CM10。PCIe 6.0 SSD是今年开始量产的最新接口标准，据铠侠介绍，CM10相比前代产品顺序读取性能最高提升92%，随机读取性能提升约85%。面向终端AI市场的UFS 5.0存储计划今年底开始量产，这是今年起商用化的最新内置存储规格，主要用于移动设备NAND，数据处理速度约为前代UFS 4.1的两倍。铠侠的UFS 5.0搭载自研控制器和第八代NAND。

　　面对铠侠的攻势，韩国存储企业也在加速开发尖端NAND解决方案。行业龙头三星电子正展开积极布局，上个月初已开始量产PCIe 6.0企业级固态硬盘PM1763，该产品搭载第九代V NAND和4纳米制程的新型控制器。三星电子的UFS 5.0存储已于今年6月完成开发，计划第四季度投入量产，其特点是基于第九代NAND实现了业界最高水平的10.8GB/s数据传输带宽和功耗效率。

　　下一代第十代（V10）NAND方面，三星电子宣布本月开始量产。据推测，三星电子V10 NAND的堆叠层数在430层左右。从第十代开始，三星电子将首次采用混合键合技术，以及将单元分三次堆叠的3-stack工艺。一位半导体业界人士表示，三星电子近期已完成V10 NAND的内部产品量产批准，正式公布了量产计划，但由于大规模量产设备投资尚未完全展开，初期产量预计处于较低水平。

　　随着AI数据中心建设和终端AI设备普及带动存储需求持续攀升，韩日存储巨头在下一代NAND领域的技术竞赛正进入白热化阶段。从PCIe 6.0企业级固态硬盘到UFS 5.0移动存储，双方在产品规格和量产时间表上的交锋，将直接影响未来AI基础设施的存储供应链格局。

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